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功率半导体模块
功率半导体模块
快速晶闸管/整流管模块
MKC MHC
 
IT(AV)
@TC
VDRM VRRM
VTM@ITM
IDRM IRRM
IGT
VGT
IH
dv/dt
di/dt
tq
IT(RMS)
ITSM
Rjc
Tjm
Viso
外形
Outline
A
V
V
A
mA
mA
V
mA
V/μs
A/μs
μs
A
A×103
ǔC/W
ǔC
VAC
150
85
600-1600
1.78
450
40
180
2.5
100
800
200
15-35
236
4.00
0.140
115
2500
D
200
85
600-1600
1.77
600
50
180
2.5
100
800
200
15-35
314
5.60
0.100
115
2500
F
300
85
600-1600
1.75
900
80
200
3.0
100
800
200
15-35
471
7.80
0.070
115
2500
F
300*
55
600-1600
2.20
900
50
200
3.0
100
800
200
15-35
471
5.60
0.110
115
2500
T
400*
55
600-1600
2.10
1200
80
200
3.0
100
800
200
15-35
628
7.80
0.087
115
2500
U
*水冷 water-cooling
MZC
IT(AV)@TC
VRRM
VFM@IFM
IRRM
IF(RMS)
IFSM
Rjc
Tjm
Viso
外形
Outline
A
ÛC
V
V
A
mA
A
A×103
ÛC/W
ÛC
VAC
150
100
600-1600
1.60
450
30
236
4.30
0.210
140
2500
D
200
100
600-1600
1.58
600
40
314
6.00
0.150
140
2500
E
300
100
600-1600
1.55
900
70
471
8.30
0.100
140
2500
F
300*
60
600-1600
2.05
900
40
471
6.00
0.160
140
2500
T
400*
60
600-1600
1.90
1200
70
628
8.30
0.130
140
2500
U
*水冷 water-cooling
  特点   典型应用
芯片与底板电气绝缘,2500V交流电压
国际标准封装
全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力
200A以下模块皆为强迫风冷,300A以上模块,既可选用风
冷,也可选用水冷
安装简单,使用维修方便
体积小,重量轻
逆变器
感应加热
斩波器
  说明  
VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+200V除非另作说明,IGT、VGT、IH、VTM、VFM、Viso均为25℃下的测试值。表中其它参数皆为Tjm下的测试值。
I2t=I2TSMtw/2;式中tw:正弦半波电流底宽在50Hz频率下,I2t(10ms)=0.005I2TSM(A2S)
当使用在频率为60Hz情况下,
ITSM(8.3ms)=1.066ITSM(10ms),I2t(8.3ms)=0.943I2t(10ms)
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